SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: TSISS22dn TSISS22dn
Brand: Vishay
SKU: TSISS22dn
Price: 1.1016 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSISS22dn

Gehäuse: PPAK-SO8

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5mOhm; 90,6A; 65,7 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5mOhm
Max. Drainstrom:	90,6A
Maximaler Leistungsverlust:	65,7W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SISS22DN-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAK-SO8 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,8737	1,4829	1,2640	1,1605	1,1016

Widerstand im offenen Kanal:	5mOhm
Max. Drainstrom:	90,6A
Maximaler Leistungsverlust:	65,7W
Gehäuse:	PPAK-SO8
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD