SISS52DN-T1-GE3

Symbol Micros: TSISS52DN-T1-GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK1212
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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 47,1A
Maximaler Leistungsverlust: 4,8W
Gehäuse: PPAK1212-8S
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 47,1A
Maximaler Leistungsverlust: 4,8W
Gehäuse: PPAK1212-8S
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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