SIZF300DT

Symbol Micros: TSIZF300dt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAIR6(3x3)
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Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C; Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 75A; 4,5mOhm; 20V; 75W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 75W
Hersteller: VISHAY
Gehäuse: PowerPAIR3x3-4
Max. Kollektor-Strom [A]: 75A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SIZF300DT-T1-GE3 RoHS Gehäuse: PPAIR6(3x3) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1215 0,7461 0,6162 0,5572 0,5336
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 75W
Hersteller: VISHAY
Gehäuse: PowerPAIR3x3-4
Max. Kollektor-Strom [A]: 75A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: N-MOSFET

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