SKM100GB12T4

Symbol Micros: TSKM100gb12t4

Gehäuse: Rys.SKM100

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;

Parameter

Gate-Ladung:	565nC
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	300A
Max. Kollektor-Strom:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	Rys.SKM100
Hersteller:	SEMIKRON
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C

Gate-Ladung:	565nC
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	300A
Max. Kollektor-Strom:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	Rys.SKM100
Hersteller:	SEMIKRON
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Transistor-Typ:	IGBT