SKQ55P02AD SHIKUES

Symbol Micros: TSKQ55P02ad
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 15mOhm; 55A; 38W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SKQ55P02AD RoHS Gehäuse: DFN08(3.3x3.3) Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2480 0,1583 0,1110 0,0964 0,0902
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: DFN08(3.3x3.3)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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