SMBT2222AE6327HTSA1 SOT23 INFINEON

Symbol Micros: TSMBT2222AE6327HTSA1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Parameter
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SMBT2222AE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
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40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN