SMMBT5551LT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TSMMBT5551
Gehäuse: SOT23-3
Transistor GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R SMMBT5551LT3G
Parameter
| Verlustleistung: | 225mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 80 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 225mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 80 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 600mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 160V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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