SMUN5311DW1T1G

Symbol Micros: TSMUN5311dw1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5311DW1T3G SMUN5311DW1T2G
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT363-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SMUN5311DW1T3G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0406
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Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SMUN5311DW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0310
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT363-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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