SMUN5313DW1T1G

Symbol Micros: TSMUN5313dw1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5313DW1T3G
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT363-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT363-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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