SPA07N60C3

Symbol Micros: TSPA07n60c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA07N60C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6775 1,3368 1,1442 1,0291 0,9868
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA07N60C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
104 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9868
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA07N60C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
4890 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9868
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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