SPA08N80C3XKSA1
Symbol Micros:
TSPA08n80c3
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA08N80C3XKSA1; SPA08N80C3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 650mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA08N80C3XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
631 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1155 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA08N80C3XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
3586 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9003 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPA08N80C3XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
10500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8643 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 650mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole