SPA08N80C3XKSA1

Symbol Micros: TSPA08n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA08N80C3XKSA1; SPA08N80C3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA08N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
642 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1151
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA08N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
3286 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9000
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA08N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
11000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8640
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT