SPA11N80C3

Name: TSPA11n80c3 TSPA11n80c3
Brand: Infineon
SKU: TSPA11n80c3
Price: 2.9353 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPA11n80c3

Gehäuse: TO220iso

N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

16 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	4,3735	3,7027	3,2978	3,0365	2,9353

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA2 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,9353

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA2 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

492 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,9353

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso

Externes Lager:

603 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,9353

Widerstand im offenen Kanal:	1,05Ohm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT