SPA11N80C3

Symbol Micros: TSPA11n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPA11N80C3XKSA1; SPA11N80C3XKSA2;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Max. Drainstrom: 11A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA11N80C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,3353 3,6703 3,2690 3,0100 2,9097
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Max. Drainstrom: 11A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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