SPA17N80C3 INF

Symbol Micros: TSPA17n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-MOSFET 17A 800V SPA17N80C3XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
243 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0076
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
3351 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,6114
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
6522 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5514
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT