SPA17N80C3 INF

Symbol Micros: TSPA17n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-MOSFET 17A 800V SPA17N80C3XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Max. Drainstrom: 17A
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,5307
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,5129
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
264 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,1996
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
4251 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6627
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA17N80C3XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
3822 stk.
Anzahl Stück 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,5898
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 290mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Max. Drainstrom: 17A
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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