SPA20N60C3

Symbol Micros: TSPA20n60c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA20N60C3XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20,7A
Maximaler Leistungsverlust: 34,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20,7A
Maximaler Leistungsverlust: 34,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT