SPA20N60C3

Symbol Micros: TSPA20n60c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA20N60C3XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 34,5W
Max. Drainstrom: 20,7A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA20N60C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,1921
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPA20N60C3XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
3270 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3046
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 34,5W
Max. Drainstrom: 20,7A
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

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