SPB07N60C3

Symbol Micros: TSPB07n60c3

Gehäuse: D2PAK

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SPB07N60C3ATMA1

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	7,7A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	7,7A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD