SPB20N60S5
Symbol Micros:
TSPB20n60s5
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5/SN
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Siemens |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Siemens |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole