SPB20N60S5

Symbol Micros: TSPB20n60s5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET 20A 600V 208W 0.19Ω SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5/SN
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Siemens
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPB20N60S5ATMA1 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,9538
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Siemens
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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