SPD02N80C3
Symbol Micros:
TSPD02n80c3
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 6,5 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPD02N80C3ATMA1
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3470 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPD02N80C3ATMA1
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
15000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3614 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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