SPD02N80C3

Symbol Micros: TSPD02n80c3
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 6,5 Ohm; 2A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD02N80C3ATMA1 Gehäuse: TO252 (DPAK)  
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Nettopreis (EUR) 0,3630
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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