SPD06N80C3
Symbol Micros:
TSPD06n80c3
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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