SPD15P10PL G
Symbol Micros:
TSPD15p10pl
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 15A; 128 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD15P10PLGBTMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 128W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 128W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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