SPD18P06P G

Name: TSPD18p06p TSPD18p06p
Brand: Infineon
SKU: TSPD18p06p
Price: 0.5408 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPD18p06p

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 18,6A; 80W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD18P06PGBTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	18,6A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD18P06PG RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

31 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1356	0,8323	0,6677	0,5737	0,5408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD18P06PGBTMA1 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

25000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5408

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD18P06PGBTMA1 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

75000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5408

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	18,6A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD