SPD50P03L G
Symbol Micros:
TSPD50p03l
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD50P03LGBTMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole