SPD50P03L G

Name: TSPD50p03l TSPD50p03l
Brand: Infineon
SKU: TSPD50p03l
Price: 1.1275 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPD50p03l

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12,5 mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: SPD50P03LGBTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD50P03LGBTMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

9 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	9+	27+	81+
Nettopreis (EUR)	1,9161	1,5159	1,3017	1,1887	1,1275

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPD50P03LGBTMA1 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1275

Widerstand im offenen Kanal:	12,5mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD