SPP06N80C3

Symbol Micros: TSPP06N80C3
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 2,1 Ohm; 6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP06N80C3XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP06N80C3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5532 1,1851 0,9809 0,8597 0,8170
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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