SPP11N80C3XKSA1

Symbol Micros: TSPP11n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 1,05 Ohm; 11A; 156W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP11N80C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,7762 3,1967 2,8476 2,6220 2,5341
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,05Ohm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 156W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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