SPP20N60S5

Symbol Micros: TSPP20n60s5

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 430 mOhm; 20A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N60S5HKSA1; SPP20N60S5XKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	430mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

39 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	100+
Nettopreis (EUR)	7,2955	6,1923	5,5161	5,0683	4,9621

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	4,9621

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 Gehäuse: TO220

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11695 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	4,9621

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N60S5XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

975 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	4,9621

Widerstand im offenen Kanal:	430mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT