SPP20N65C3XKSA1

Name: TSPP20n65c3 TSPP20n65c3
Brand: Infineon
SKU: TSPP20n65c3
Price: 2.6397 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPP20n65c3

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 430 mOhm; 20,7A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N65C3HKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	430mOhm
Max. Drainstrom:	20,7A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N65C3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	3,9325	3,3284	2,9664	2,7314	2,6397

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N65C3XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

55 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,0367

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP20N65C3XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

240 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,6397

Widerstand im offenen Kanal:	430mOhm
Max. Drainstrom:	20,7A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT