SPP21N50C3XKSA1

Symbol Micros: TSPP21n50c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans MOSFET N-CH 560V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP21N50C3HKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 34,5W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon
Max. Drain-Source Spannung: 560V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP21N50C3XKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
910 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5480
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 34,5W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon
Max. Drain-Source Spannung: 560V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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