SPP21N50C3XKSA1
Symbol Micros:
TSPP21n50c3
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET N-CH 560V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP21N50C3HKSA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 21A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 34,5W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon |
| Max. Drain-Source Spannung: | 560V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 21A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 34,5W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon |
| Max. Drain-Source Spannung: | 560V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole