SPP80P06PHXKSA1

Symbol Micros: TSPP80p06ph
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 23mOhm; 80A; 340 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 340W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP80P06PHXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,1549 3,5167 3,1339 2,8857 2,7888
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP80P06PHXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2369 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7888
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPP80P06PHXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3219 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7888
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 340W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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