SPW17N80C3
Symbol Micros:
TSPW17n80c3
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 670 mOhm; 17A; 227W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW17N80C3FKSA1; SPW17N80C3XK; SPW17N80C3FKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 670mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 227W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 670mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 227W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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