SPW17N80C3

Symbol Micros: TSPW17n80c3

Gehäuse: TO 3P

N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 670 mOhm; 17A; 227W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW17N80C3FKSA1; SPW17N80C3XK; SPW17N80C3FKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	670mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	227W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW17N80C3FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

120 stk.

Anzahl Stück	30+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,7768

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW17N80C3FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

6 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	2,6305

Widerstand im offenen Kanal:	670mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	227W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT