SPW17N80C3

Symbol Micros: TSPW17n80c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 800V; 20V; 670 mOhm; 17A; 227W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW17N80C3FKSA1; SPW17N80C3XK; SPW17N80C3FKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 670mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 227W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW17N80C3FKSA1 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,5126
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 670mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 227W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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