SPW32N50C3

Symbol Micros: TSPW32n50c3
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 560V; 20V; 270 mOhm; 32A; 284W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW32N50C3FKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 284W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 560V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW32N50C3 RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 8,0528 7,5403 7,2204 7,1044 7,0024
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 284W
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 560V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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