SPW32N50C3
Symbol Micros:
TSPW32n50c3
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 560V; 20V; 270 mOhm; 32A; 284W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPW32N50C3FKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 32A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 284W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 560V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPW32N50C3 RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 20+ | 50+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 8,2081 | 7,6858 | 7,3596 | 7,2414 | 7,1375 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPW32N50C3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
9166 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 7,1375 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 32A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 284W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 560V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole