SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSQ2318aes
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 36mOhm; 8A; 3W; -55°C ~ 175°C; SQ2318AES-T1_GE3 VSIG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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