SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSQ2398es
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 1,6A; 2W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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