SQ3427AEEV-T1 GE3
Symbol Micros:
TSQ3427aeev
Gehäuse: TSOP06
P-MOSFET 60V 95mOhm
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
| Max. Drainstrom: | -5,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP6 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | -60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | -10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
| Max. Drainstrom: | -5,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP6 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | -60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | -10V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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