SQD50034EL_GE3

Symbol Micros: TSQD50034EL_GE3
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Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
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MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,2mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,2mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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