SQJ211ELP
Symbol Micros:
TSQJ211ELP
Gehäuse:
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 30mOhm; 33,6A; 68W; -55°C~175°C; Äquivalent: SQJ211ELP-T1_GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | SO-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 30mOhm |
| Max. Drainstrom: | 33,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | SO-8 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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