SQJ560EP

Symbol Micros: TSQJ560ep
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK
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Transistor N/P-Kanal MOSFET; 60V-60V; 20V; 16mOhm/75,5mOhm; 30A/-18A; 34W; -55°C ~ 175°C; SQJ560EP-T1_GE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SQJ560EP-T1_GE3 RoHS Gehäuse: PPAK Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5435 1,1451 1,0017 0,9311 0,9084
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: PowerPAK SO-8
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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