SQM40016EM_GE3
Symbol Micros:
TSQM40016em
Gehäuse: TO263
MOSFET N-CHAN 40V SQM40016EM-GE3; SQM40016EM_GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 250A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 250A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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