SQM90142E_GE3
Symbol Micros:
TSQM90142e
Gehäuse: D2PAK
MOSFET N-CH 200V 95A TO263 SQM90142E_GE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 95A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 95A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole