SQS141ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSQS141ELNW-T1_GE3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PPAK-SO8
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AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 119W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SQS141ELNW-T1_GE3 Gehäuse: PPAK-SO8  
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Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 119W
Gehäuse: PPAK-SO8
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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