SS8050 SOT23-3 BORN

Symbol Micros: TSS8050 BORN

Gehäuse: SOT23

NPN 1.5A 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS NPN 1.5A 25V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolar TRANSISTOR - BJT RoHS

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	BORN
Grenzfrequenz:	100MHz
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: SS8050 RoHS Y1. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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1355 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	300+	1500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1100	0,0432	0,0227	0,0178	0,0169

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Geplantes Datum:
2025-07-15

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	BORN
Grenzfrequenz:	100MHz
Gehäuse:	SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN