SS8050 SOT23

Symbol Micros: TSS8050 MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MDD
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: SS8050 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0540 0,0202 0,0108 0,0081 0,0074
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MDD
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN