SS8550

Symbol Micros: TSS8550 c

Gehäuse: SOT23

Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	HOTTECH
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	120MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	-25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0492	0,0184	0,0099	0,0074	0,0068

Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0492	0,0184	0,0099	0,0074	0,0068

Hersteller: FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

901 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0492	0,0184	0,0099	0,0074	0,0068

Hersteller: POWERSILION Hersteller-Teilenummer: SS8550 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

1142 stk.

Anzahl Stück	20+	100+	500+	3000+	15000+
Nettopreis (EUR)	0,0492	0,0184	0,0099	0,0074	0,0068

Verlustleistung:	350mW
Hersteller:	HOTTECH
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	120MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	-25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP