SSF60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR

Name: TSSF60r190s2 TSSF60r190s2
Brand: Super Semiconductor
SKU: TSSF60r190s2
Price: 0.9851 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSSF60r190s2

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 190 mOhm; 20A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Super Semiconductor Hersteller-Teilenummer: SSF60R190S2 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6740	1,3354	1,1426	1,0274	0,9851

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	SUPER SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT