SSM3J328R
Symbol Micros:
TSSM3j328r
Gehäuse: SOT23F
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 29,8 mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 29,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT23F |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 29,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT23F |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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