SSM3J328R
Symbol Micros:
TSSM3j328r
Gehäuse: SOT23F
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 29,8 mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J328R,LF(B; SSM3J328R,LF(T; SSM3J328RLF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 29,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT23F |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: SSM3J328R,LF(T RoHS
Gehäuse: SOT23Ft/r
Datenblatt
Auf Lager:
835 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2422 | 0,1328 | 0,0870 | 0,0752 | 0,0694 |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: SSM3J328R,LF(T
Gehäuse: SOT23F
Externes Lager:
18000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0694 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 29,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT23F |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 4,5V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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