SSM3J332R

Symbol Micros: TSSM3j332r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23F
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23F
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3J332R RoHS KFJ. Gehäuse: SOT23Ft/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,2555 0,1117 0,0698 0,0599 0,0570
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23F
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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