SSM3J332R
Symbol Micros:
TSSM3j332r
Gehäuse: SOT23F
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | SOT23F |
Hersteller: | TOSHIBA |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | SOT23F |
Hersteller: | TOSHIBA |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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