SSM3J334R TOSHIBA

Symbol Micros: TSSM3j334r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23F
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 71mOhm; 4A; 1W; -55°C~150°C; Äquivalent: SSM3J334R,LF(T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 71mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23F
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 71mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23F
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD