SSMJ356R,LF(T

Symbol Micros: TSSM3j356r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD