SSMJ356R,LF(T

Symbol Micros: TSSM3j356r
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3J356R,LF(T Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0633
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 72mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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