SSM3K15AMFV,L3F(T

Symbol Micros: TSSM3k15amfv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VESM
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 6Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3K15AMFV,L3F(T RoHS Gehäuse: VESM Datenblatt
Auf Lager:
145 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 225+ 1350+
Nettopreis (EUR) 0,1517 0,0714 0,0491 0,0334 0,0276
Standard-Verpackung:
225
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD