SSM3K15AMFV,L3F(T

Symbol Micros: TSSM3k15amfv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: VESM
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 6Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3K15AMFV,L3F(T RoHS Gehäuse: VESM Datenblatt
Auf Lager:
630 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2345 0,1277 0,0838 0,0724 0,0667
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD