SSM3K357R,LF

Symbol Micros: TSSM3K357R
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 650mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3K357R,LF RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
46 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3172 0,1682 0,1304 0,1205 0,1154
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 650mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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