SSM3K357R,LF

Symbol Micros: TSSM3K357R

Gehäuse: SOT23-3

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 12V; 2,4Ohm; 650mA; 1W; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,4Ohm
Max. Drainstrom:	650mA
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3K357R,LF RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

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46 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2907	0,1541	0,1196	0,1104	0,1056

Widerstand im offenen Kanal:	2,4Ohm
Max. Drainstrom:	650mA
Maximaler Leistungsverlust:	1W
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD