TSSM3K37mfv

Symbol Micros: TSSM3K37mfv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT723
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 2,2Ohm; 250mA; 150mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SSM3K37MFV,L3F(T; SSM3K37MFV,L3F(B;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT723
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,2Ohm
Max. Drainstrom: 250mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT723
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD