SSM6K514NU

Symbol Micros: TSSM6K514NU
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: UDFN6B-6
Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 17,3 mOhm; 12A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,3mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: UDFN6B-6
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM6K514NULF RoHS SNB Gehäuse: UDFN6B-6 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7307 0,4581 0,3806 0,3383 0,3172
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 17,3mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: UDFN6B-6
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole