SSM6K514NU
Symbol Micros:
TSSM6K514NU
Gehäuse: UDFN6B-6
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 17,3 mOhm; 12A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 17,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | UDFN6B-6 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 17,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | UDFN6B-6 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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